您的位置: 主页 > 信息资讯 > 行业资讯 >

基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设

点击数:2019-07-24 06:03 来源:未知

  基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计摘要:可持续性评价是可持续性科学研究的重要内容。在HDI和HSDI的基础上,构建对环境重视程度不同的弱HSDI与强HSDI评价指数,以中国环渤海地区为例,揭示区域2000-2015年可持续性基本状态与变化过程。结果表明:从基本状态来看,环渤海地区各市可持续性水平等级结构失衡,弱HSDI与强HSDI水平均呈两头小、中间大的纺锤形等级结构,但弱HSDI的等级结构失衡比强HSDI更严重,且弱、强HSDI空间格局差异较大;从变化过程来看,环渤海地区各市可持续发展步调不一致,弱HSDI与强HSDI均以显著增长趋势为主,但弱HSDI主要呈中高速增长,强HSDI主要呈中低速增长。结合评价结果,划分可持续性状态与过程矩阵,提出具有针对性的多元化策略,可为促进区域可持续发展提供决策参考。14

  随后读取EERPOM的数据,插卡电表内部中断负责电量的记录,当有电量脉冲到来时,中断服务程序对电量寄存器加1,随后退出中断,在主程序循环完成电计量功能,程序每0,5秒对剩余电量进行判断,如果小于零则置欠费标志.

  2、仪表工程师10名,22-45岁,专科及以上学历,机电、自动化等相关专业,月薪3600-7000元;

  湖北三相电度表规格,DDS208-A型单相电子式电能表能地计量单相有功总电能,反向电能计入总电能。电能表采用防磁止逆计度器显示当前电能。可用于计量频率为50Hz单相交流有功电能。电能表采用大规模集成电路作为核心器件,具有元件少、结构简单、可靠性高并具有等压机再工作数分钟真正防窃电、高倍过载、高精度、高稳定性、低功耗、长寿命等优点。

  根据它的功能作用的不同,电流数显表还可分为单纯显示、显示表、显示变送表、显示通讯表、显示记录表、多功能表等电流数显表,这样才能够满足不同用户的使用要求。

  山东泰山智能水电表有限公司位于驰名中外,风景秀丽的泰山脚下。公司经历风雨数载,在智能水电表行业的不懈耕耘,目前产品已涵盖智能IC卡水表,磁卡水表,感应卡水表,射频卡水表,防水型智能水表,农村智能水表,一卡通水电表,智能IC卡电表,磁卡电表,射频卡电表,三相四线智能电表,多用户电表,集中式电表,485通讯水表电表,热计量表,智能网络水表电表等产品。

  用于高低压电气系统单相电流参数测量,电流表基于新MCU微处理器技术和模块化结构,单相电流表具备高抗干扰性、高稳定性和高精度等特点。电流表支持开关量输入、继电器输出、6种安装尺寸,可直接替代模拟指针电流表,更广泛的适用于各种控制系统(SCADA、DCS等)。

  智能数显电流表变比:电流互感器一次电流/二次电流(额定5A)200/5=40倍

  广东三相电表型号,2018年10月27日,安科瑞电气股份有限公司参加在湖南电力宾馆举办的湖南省建筑电气学会2018年年会。会议以在空气环境下服务为宗旨,为设计院与企业之搭建技术与信息交流平台。

  1、装置综合了目前国内各类学校电力电子、半导体变流、交直流调速、交流变频、电机控制、控制理论等实验项目。

  3)控制灵活、调节速度更快、调节速度广,在感性和容性运行工况下均可连续快速调节,响应速度可达毫秒级;

  进一步地,所述表计组还包括一仿真表;所述串口服务器通过RS485通讯方式接线并联连接三相虚负荷功率源、故障设置模块、语音模块,用以通过上位机控制功率源输出、故障设置、语音播报;通过RS485通讯方式接线并联连接表计组中的仿真表,用以通过上位机发送仿线通讯方式接线连接专变终端的一维护口,用以通过上位机设置专变终端参数。

  2017 年,仪器仪表大行业 20 个小行业规模以上企业 4622 个,实现主营业务收入 10323 亿元,同比增长 10.71%,高于 2016 年同期0.61 个百分点,连续两年同比两位数增长,企稳回升。试验仪器、光学仪器、医疗仪器设备、环境监测仪器仪表、工业自动化仪表与控制系统等分行业营收同比增幅较高;工业自动化仪表与控制系统分行业同比增速超过大行业 0.91 个百分点,达到 11.62%,比上年增速高1.91 个百分点,连续两年增速低于大行业之后,超过大行业,对大行业的拉动作用明显。

  0},n.getGuid=function(){return r++},n.parseCallback=function(e){returnfunction==t.type(e)?e:!0===e?function(){location.reload()}:string==t.type(e)&&0===e.indexOf(http)?function(){location.href=e}:function(){}},n.setCookie=function(e,t,n){var r=new Date;n=void 0!==n?n:2,r.setTime(r.getTime()+864e5*n),document.cookie=e+=+encodeURIComponent(t)+;expires=+r.toGMTString()+;path=/},n.getCookie=function(e){var t=null,n=new RegExp((^ )+e+=([^;]*)(;$)),r=document.cookie.match(n);return r&&(t=decodeURIComponent(r[2])),t},n.throttle=function(e,t,n,r){var i,s,o,u=+(new Date),a=0,f=0,l=null,c=function(){f=u,e.apply(s,o)};return function(){u=+(new Date),s=this,o=arguments,i=u-(r?a:f)-t,clearTimeout(l),r?n?l=setTimeout(c,t):i=0?c():n&&(l=setTimeout(c,-i)),a=u}},n.debounce=function(e,t,r){return n.throttle(e,t,r,!0)},n.bind=function(e,n){if(e.bind&&e.bind===Function.prototype.bind)return e.bind(n);if(!t.isFunction(e))throw new TypeError;var r=[].slice.call(arguments,2),i=function(){var t=[].slice.apply(arguments);if(this instanceof i){var s=function(){};s.prototype=e.prototype;var o=new s;s.prototype=null;var u=e.apply(o,r.concat(t));return Object(u)===u?u:o}return e.apply(n,r.concat(t))};return i},n.initInputId=function(e){t(e).find(.quc-input:not([id])).each(function(e,r){var i=t(r),s=i.parent();if(s=LABEL==s[0].tagName?s:s.siblings(label),s.length){var o=quc_+i.attr(name)+_+n.getGuid();i.attr(id,o),s.attr(for,o)}})},n.selectText=function(e,n,r){var i=t(e),s=i.val().length;for(n=parseInt(n)0,r=parseInt(r)s;n).attr(src,o).hide();t(n.body).append(u),window[s]=function(){clearTimeout(a),delete r.object;var e=u[0].contentWindow,n=e.document,s=r.store=n.createElement(input);setTimeout(function(){s.addBehavior(#default#userData),n.body.appendChild(s),s.load(r.storeName),t.each(i.data,function(e,t){s.setAttribute(e,t)}),s.save(r.storeName)},30)};var a=setTimeout(function(){u.remove()},2e4)})}},set:function(e,t){this.object?this.object.set(e,t):(this.store.load(this.storeName),this.store.setAttribute(e,t),this.store.save(this.storeName))},get:function(e,t){if(this.object)return this.object.get(e,t);this.store.load(this.storeName);var n=this.store.getAttribute(e);return null!==n?n:t},remove:function(e){this.object?this.object.remove(e):this.store.removeAttribute(e)}},a={init:function(){this.data=this.data{}},set:function(e,t){this.data[e]=t},get:function(e,t){var n=this.data[e];return void 0!==n?n:t},remove:function(e){delete this.data[e]}},f=navigator.userAgent.toLowerCase(),l=f.match(/msie ([\d.]+)/),c=l&&l[1],h=6==c7==c;e.utils.storage=function(e){var t;switch(e){default:caselocal:try{t=window.localStorage?r:h?u:a}catch(e){t=a}break;casesession:try{t=window.sessionStorage?i:a}catch(e){t=a}break;casecookie:t=o()?s:a;break;casepage:t=a}return t.init&&t.init(),t},h&&u.init()}(QHPass),function(e){use strict;var t=e.$,n=立即登录,r=e.ERROR={REALNAME_EMPTY:{errno:204,errmsg:请输入您的真实姓名},REALNAME_INVALID:{errno:227,errmsg:请确认您输入的真实姓名是否有误},ACCOUNT_EMPTY:{errno:1030,errmsg:请输入360帐号},ACCOUNT_INVALID:{errno:1035,errmsg:请确认您的帐号输入是否有误},ACCOUNT_DUPLICATE:{errno:1037,errmsg:该帐号已经注册,+n},USERNAME_DUPLICATE:{errno:213,errmsg:用户名已经被使用,+n},USERNAME_EMPTY:{errno:215,errmsg:请输入用户名},USERNAME_INAPPROPRIATE:{errno:225,ermsg:用户名包含不适当内容},USERNAME_INVALID:{errno:199,errmsg:用户名应为2-14个字符,支持中英文、数字或_},USERNAME_NUMBER:{errno:200,errmsg:用户名不能全为数字},NICKNAME_EMPTY:{errno:205,errmsg:请输入昵称},NICKNAME_DUPLICATE:{errno:260,errmsg:昵称已经被使用},NICKNAME_INAPPROPRIATE:{errno:226,errmsg:昵称包含不适当内容},NICKNAME_NUMBER:{errno:262,errmsg:昵称不能全部是数字},NICKNAME_INVALID:{errno:15e3,errmsg:昵称应为2-14个字符,支持中英文、数字、_或.},EMAIL_EMPTY:{errno:203,errmsg:请输入邮箱},EMAIL_INVALID:{errno:1532,errmsg:邮箱格式有误},EMAIL_NOT_ACTIVATED:{errno:2e4},MOBILE_EMPTY:{errno:1107,errmsg:请输入手机号},MOBILE_INVALID:{errno:1100,errmsg:手机号格式有误},MOBILE_DUPLICATE:{errno:1106,errmsg:该手机号已经注册,+n},CAPTCHA_INVALID:{errno:78e3,errmsg:验证码错误请重新输入},CAPTCHA_INVALID_OLD:{errno:1670,errmsg:验证码错误请重新输入},CAPTCHA_EMPTY:{errno:78002,errmsg:请输入验证码},CAPTCHA_APPID_INVALID:{errno:1300,errmsg:验证码格式有误},SMS_TOKEN_EMPTY:{errno:1350,errmsg:请输入校验码},SMS_TOKEN_INCORRECT:{errno:1351,errmsg:校验码输入有误},PASSWORD_EMPTY:{errno:211,errmsg:请输入密码},PASSWORD_INVALID:{errno:1065,errmsg:密码长度应为6-20个字符},PASSWORD_LEVEL_LOW:{errno:54999,errmsg:密码安全级别过低},PASSWORD_WEAK:{errno:54999,errmsg:密码弱,有风险,请重新输入},PASSWORD_ORDERED:{errno:54999,errmsg:密码不能为连续字符},PASSWORD_CHAR_REPEAT:{errno:54999,errmsg:密码不能全为相同字符},PASSWORD_WRONG:{errno:220,errmsg:登录密码错误,请重新输入},PASSWORD_NOT_MATCH:{errno:1091,errmsg:两次密码输入不一致},PASSWORD_FULL_SHARP:{errno:54e3,errmsg:密码不能包含中文字符,请重新设置},IDENTIFY_EXPIRE:{errno:153e3},NOT_SIGNED_IN:{errno:1501,errmsg:用户未登陆},UNKNOWN_ERROR:{errno:999999,errmsg:未知错误},SUCCESS:{errno:0,errmsg:操作成功},TIME_OUT:{errno:1,errmsg:网络超时}},i=e.utils=e.utils{},s={1105:该手机号未注册360帐号,1402:手机号当天发送短信次数超限,201:该邮箱已经注册,+n,3e4:该手机号已经注册,请直接用手机号登录,30007:该手机号已经注册,请直接用手机号登录,65002:该帐号未开启短信登录功能,立即开启,65001:该帐号只能通过短信登录,关闭此功能,221:帐号被封禁,点此联系客服,78001:提交过于频繁,请稍后重试};t.each(r,function(e,t){t.errmsg&&t.errmsg.length>

  该学科共收录17种期刊,其中权威期刊1种,核心期刊7种,扩展期刊1 9种,同等级内期刊按照期刊名称的音序排列。

  使用环形线圈,我快速构建好一个半波供电电源来测试DC-DC模块。在负载下,变压器的嗡嗡/蜂鸣噪杂声是....

  (可选)、可视化视频(可选)、GPRS 无线传输系统、气象站支架、太阳能供电系统(可

  天津市电缆总厂tjdl第一分厂是生产矿用通信电缆,矿用信号电缆,矿用控制电缆的公司,公司的主要产品有矿用通信电缆、矿用信号电缆,矿用控制电缆,矿用电话线,矿用防爆通讯电缆,矿用防爆电话线,矿用防爆通信电缆,矿用监测电缆,矿用电缆,市内通信电缆,通信电源线,铁路信号电缆,局用配线电缆及计算机电缆等,同时还可以根据客户的要求设生产各类专用特种电缆。产品广泛应用于煤炭、电力、化工、建材、交通以及国防等领域。深受客户好评。公司的矿用通信电缆、矿用信号电缆,矿用控制电缆等矿用电缆严格按照MT818—1999标准生产,从而产品质量得到了有效的控制,煤炭部并颁发了《安全标志准用书》。

  、斩波电源及电机控制的各种交流变频电源中获得越来越多的应用。但相比于绝缘栅双极型或大功率双极型晶体管GTR等,MOSFET管具有较弱的承受短时过载能力,因而其实际使用受到一定的限制。如何设计出可靠和合理的驱动与,对于充分发挥MOSFET功率管的优点,起着至关重要的作用,也是有效利用MOSFET管的前提和关键。文中用IR2130驱动模块为核心,设计了功率MOSFET驱动保护应用与无刷直流电机控制系统中,同时也阐述了本电路各个部分的设计要求。该设计使系统功率驱动部分的可靠性大大的提高。

  功率场效应管自身拥有众多优点,但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOSFET对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOSFET保护电路主要有以下几个方面:

  1)防止栅极  di/dt过高:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻,电阻的大小一般选取几十欧姆。

  2)防止栅源极间过电压  由于栅极与源极的阻抗很高,漏极与源极间的电压突变会通过极间到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压,此电压会使很薄的栅源氧化层击穿,同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿,所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅极并联电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累。

  3)防护漏源极之间过电压  虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位和RC缓冲电路等保护措施。

  当电流过大或者发生短路时,功率MOSFET漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值,必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOSFET,否则器件将被烧坏,因此在主回路增加电流采样保护电路,当电流到达一定值,通过保护电路关闭驱动电路来保护MOSFET管。图1是MOSFET管的保护电路,由此可以清楚的看出保护电路的功能。

  1)产生的栅极驱动脉冲必须具有足够的上升和下降速度,脉冲的前后沿要陡峭:

  2)开通时以低电阻对栅极电容充电,关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路,以提高功率MOSFET的开关速度;

  4)功率MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电电流,为了使开关波形有足够的上升下降陡度,驱动电流要大。

  其中:CG为MOSFET栅极电容;VDD为MOSFET驱动器电源电压;F为开关频率。

  其中:IQH为驱动器输入为高电平状态的静态电流;D为开关波形的占空比;IQL为驱动器输入为低电平状态的静态电流。

  从上述公式可以推导出,在3部分功耗中其中栅极电容充放电功耗在MOSFET驱动器功耗中占的比例最高,特别是在很低的开关频率时。同时根据公式减小栅极驱动电压可以显著减少驱动器的功耗。

  在应用中使MOS管驱动器与MOS管匹配主要是根据功率MOS管导通和截止的速度快慢即栅极电压的上升和下降时间,也即是MOS管栅极电容的充放电速度。MOS管栅极电容导通与截止的时间与MOS管驱动器的驱动电流的关系可以表示为:

  其中:T表示导通与截止时间,V表示MOS管栅极源极两端的电压,C表示栅极电容,I表示驱动器峰值驱动电流。

  根据栅极电压与栅极电容的乘积为栅极电荷Q则上式可转化为T=Q/I.本设计中功率MOSFET采用IR公司的IRF3710S功率MOSFET芯片,从其datasheet可以得到MOSFET的栅极电荷为26 nC,导通/截止时间为106 ns,可以得到峰值驱动电流为,驱动电压为12 V,本设计驱动芯片采用IR公司的IR2130驱动模块,该芯片可用来驱动工作在母电压不高于600 V的电路中的功率MOS门器件,其可输出的最大正向峰值驱动电流为250mA,输出驱动电压为10~20V而反向峰值驱动电流为500 mA.它内部设计有过流、过压及欠压保护、封锁和指示网络,使用户可方便的用来保护被驱动的MOS门功率管,加之内部自举技术的巧妙运用使其可用于高压系统,它还可对同一桥臂上下2个功率器件的门极驱动信号产生2μs互锁延时时间。它自身工作和电源电压的范围较宽(3~20 V),在它的内部还设计有与被驱动的功率器件所通过的电流成线性关系的电流放大器,电路设计还保证了内部的3个通道的高压侧驱动器和低压侧驱动器可单独使用,亦可只用其内部的3个低压侧驱动器,并且输入信号与TTL及COMS电平兼容。IR2130管脚如图2所示。

  图2中HIN1~HIN3、LIN1~LIN3:逆变器上桥臂和下桥臂功率管的驱动信号输入端,低电平有效。CA-、CAO、VSO:内部放大器的反相端、输出端和同相端,可对主电路的电流进行检测。ITRIP:过流信号检测输入端,可通过输入电流信号来完成过流或直通保护。FAULT:过流、直通短路、过压、欠压保护输出端,该端提供一个故障保护的指示信号。它在芯片内部是漏极开路输出端,低电平有效。VB1~VB3:是悬浮电源连接端,通过自举电容和快速恢复二极管为3个上桥臂功率管的驱动器提供内部悬浮电源,其中快速恢复二极管的作用是防止母线电压倒流损坏器件,VS1~VS3是其对应的悬浮电源地端。HO1~HO3、LO1~LO3:逆变器上下桥臂功率开关器件驱动器信号输出端。

  在实际应用中,IR2130的设计也有一些不合理之处,在使用中应特别注意。

  1)IR2130的故障输出只有一个通道,在实际应用中很难判断是过流还是欠压故障,特别是在上电过程中,控制电源必然从0上升至某值,在此过程中,IR2130的故障输出端因内部欠压而动作,将此信号作为过电流信号去触发前级保护电路时,如果前级保护电路具有自锁功能,可能使电路无法起动。

  2)由于IR2130的电流检测输入端直接与主电路连接,很容易引入干扰而使系统停机或出现异常,因此,电流检测电阻应采用无感电阻。

  3)由于IR2130采用了不隔离的驱动方式,若主电路功率器件损坏,高压将直接串入IR2130,引起IR2130永久性损坏,严重时还会将IR2130前级电路击穿。

  4)当IR2130的输入信号来自微处理器时必须采取隔离措施,由于IR2130具有高侧驱动功能,因此可使用普通光耦,以降低成本。

  永磁无刷直流电机是随着高性能永磁材料、电机控制技术和电力电子技术发展而出现的一种新型电机,它既具有交流电机结构简单、运行可靠、维护方便、寿命长等优点,又具备直流电机运行效率高、无励磁损耗及调速性能好等诸多优点,且还具有功率密度高,低转速,大转矩的特点。它的应用已从最初的军事工业,向航空航天、医疗、信息、家电以及工业自动化等领域迅速发展。

  图3是由IR2130组成的无刷直流电机驱动原理图为便于表示只画出其中一个桥臂的电路示意图,通过IR2130输入信号控制MOSFET的开关,由此驱动无刷直流动机。C1是自举电容,为上桥臂功率管驱动的悬浮电源存储能量,D1的作用是防止上桥臂导通时母线的电源上而使器件损坏,因此D1应有足够的反向耐压,当然D1与C1串联也是为了满足主电路功率开关频率的要求,D1应选快速恢复二极管。  R1、R2、R10、R11、R12、C4组成过流检测电路。R5、R6为栅极驱动电阻,D4、D5为功率管提供了一个低阻抗的放电回路,使功率管能够快速的泄放电荷。

  功率场效应管的栅极与源极之间并联了一个电阻和一个齐纳二极管,电阻的作用是降低栅极与源极间的阻抗,齐纳二极管的作用是防止栅极与源极间尖端电压击穿功率管。同时在功率场效应管的漏极与源极之间并联了一个RC电路和齐纳二极管,由于器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,所以必须加上RC缓冲电路和齐纳二极管对其进行保护。

  在实际应用中栅极的驱动波形如图4所示,此波形是在电机3000RPM时的驱动波形,可以看出此波形完全能够满足要求,同时进行了短路、电机堵转等试验,图3电路也能过很好地保护功率MOSFET管。

  功率MOSFET驱动保护电路的设计可直接决定系统对执行机构的驱动品质。文中针对具体的微电机驱动保护系统,有针对性地功率驱动保护电路进行计算分析与设计。实验证明该电路设计简单可靠,驱动与保护效果良好,完全可以满足控制系统对执行机构的驱动要求。

  【LLC系统课程推荐】史上最全张飞半桥LLC电源教程,60小时深度讲解半桥串联谐振软开关电源设计

  MAX25610A/B内置MOSFET,效率高达90%并符合CISPR 25 EMI要求

  MP1495是一种内置功率MOSFET的高频、同步、整流、降压开关模式转换器。它提供了一个非常紧凑的....

  — 38.4kb/s 或 COM3 — 230.4kb/s) 之一的编码转换以发送额外的信息。除了数据引脚 (C/Q) 之外,IO-Link Type A 接口...

  求购双极晶体管BD249C,NPN,30个,要求现货。2-4天能到北京...

  晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电线年,晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且,正是这个...

  甲类功率放大器,是指当输入信号较小时,在整个信号周期中,晶体管都工作于它的放大区,电流的导通角为18....

  声光控电子开关电路主要由声控电路。光控电路。触发及延时电路。控制电路供电电路。受控电路等组成,其实本....

  AON7804旨在提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率。 它包括两个采用双DFN3x3封装的低RDS(ON)...

  DRV8834为玩具、打印机、相机和其他机电一体化应用提供了灵活的电机驱动解决方案。该设备有两个H桥....

  自己画了这个驱动电路可以用吗?因为不确定所以不敢直接用。。。请各位有经验告诉下,要不要加10K电阻?谢谢了 ...

  模数转换器(ADC)能够将模拟量转变成数字量,因此它是电学测量、控制领域中一个极为重要的部件。一般来....

  场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子....

  7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。

  引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型...

  从华为海思芯片官宣转正,到国产芯片巨头中芯国际从纽约退市,中国芯一词无疑成为近期的网红热词。 解读网....

  提问 能否在 200 ns 内开启或关闭RF源? 在脉冲雷达应用中,从发射到接收操作的过渡期间需要快速开启/关闭高功率放大器 (HP...

  中国芯片产业发展速度非常快,但跟国际先进水平的差距还相当大,瓶颈是人才,不仅质量难以满足需求,连数量....

  变频器的故障分析和解决不仅需要实践检验,还需要掌握相关变频器相关的理论知识,理论分析与维修实践相结合....

  这种转速表可以用来测量旋转物体的RPM(每分钟转数)。在本应用笔记中,GreenPAK SLG46533V加红外传感器被用于检测光...

  介绍基于矢量控制策略的三相逆变器驱动电路实现方法,分析该策略的矢量变换与解耦数学模型; 以IR211....

  引言 军用系统设计师需要面对多种挑战性设计目标,因为他们除了要提供更高的性能,还处于变化速度不断加快的环境之中。预算削...

  工业自动化系统使用微处理器、数字信号处理器(DSP)和传感器网络来控制机电流程。这些元件具有高度敏感性,但是却在充满来自...

  本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保....

  IGBT 是 MOSFET 和双极晶体管的复合器件。它既有 MOSFET 易驱动的特点,又具有功率晶....

  EM2140是一个完全集成的40A功率因数同步降压变换器。它具有先进的数字控制器、栅极驱动器、同步M....

  儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能数据和功率密度

  由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,....

  TP65H050WS 650V,50MΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管是一种通常关闭的器件。它结合了最....

  按照驱动方式分为有源蜂鸣器和无源蜂鸣器。这里的有源和无源不是指电源,而是振荡源。有源蜂鸣器内部带了振....

  FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。沟道是由(是否)加在栅极和源....

  本电路回收W317可调稳压集成电路构成电路的焦点,用两块W317并联事变从而使输出电源可到达4A阁下....

  集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路....

  PLC编程语言并根据控制要求编制的用户程序,数据存储区是用来存放输人输出信息间运算结果及运行参数等。....

  本文档的主要内容详细介绍的是TTL电平与COMS电平的常识性概念详细资料说明。TTL 集成电路的主要....

  提出了一种Buck电路软开关实现方法,即同步整流加上电感电流反向。根据两个开关管实现软开关的条件不同....

  放大电路中有供电电源,有共同接地,当说话人说话声会通过话筒也就是麦克风产生微弱的电信号,电信号经过放....

  对于晶体管放大电路,我们应首先了解该电路的特点和基本的工作流程。结合具体电路熟悉各电路的结构组成。然....

  THS3091和THS3095是高电压、低失真、高速、电流反馈放大器,设计用于在宽的t5-v to....

  说明 ITR9606-F由一个红外发射二极管和一个硅光电晶体管组成,并排封装在一个黑色热塑性外壳中....

  说明 ITR9608-F由一个红外发射二极管和一个NPN硅光电晶体管组成,并排封装在一个黑色热塑性外....

  VK1S68C是1/5到1/8占空比的LED显示控制驱动电路。由10根段输出、4根栅输出、3根段/栅....

  表头的准确度等级为1级(即表头自身的灵敏度误差为±1%),水平放置,整流式仪表,绝缘强度试验电压为5....

  IR53HD420输出产生320Vp-压接到一个串联组合的紧凑型荧光灯管和一个限流电感器Ll上,并与....

  另外,由于驱动电路可能会产生较大的回灌电流,为防止对单片机产生影响,最好用隔离芯片隔离,隔离芯片选取....

  电脉冲的产生不是由振荡电路产生,而应该是由MCU的PWM功能产生,通过设置PWM模块的寄储器,让MC....

  按照电路特性分类介绍了用Pspice分析电路的基本方法。一般来说,虚拟实验用的就是这些方法。有些电路....

  在驱动电路等电力开关电路中,采用半桥式及全桥式电路时,必须注意图1.12所示的实现推挽动作的设备的断....

  业内最受欢迎的适用于AEC-Q101高温应用的BAS16 / 21二极管和BC807 / 817晶体....

  1. 贴片晶体管应用贴片晶体管的基本特点是:具有放大、饱和与截止三种工作状态,且通过变换集电极、发射....

  继电器是一种电子控制器件,它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路),通常应用于自动....

  根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,....

  近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预....

  场效应管是场效应晶体管的简称,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点,特....

  ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

  ACNW3190栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适用于额定电压高达1200V / 200 A,600 V / 300 A的直接驱动IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACNW3190可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。 ACNW3190在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中具有最高的VIORM = 1414 Vpeak绝缘电压。 功能 5.0最大峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR) )VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(VOL) 无需负栅极驱动 ICC = 5 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 500 ns最大开关速度 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证(UL认可5000 Vrms 1分钟,CSA认证,IEC / EN / DIN EN 60747-5-2认可VIORM = 1414 Vpeak) 应用 IGBT / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变...

  HSSR-7110#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7110#100是商用级HSSR-7110,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

  HSSR-7110#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7110#600是商用级HSSR-7110,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

  HSSR-7110#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7110#300是商用级HSSR-7110,带有可表面安装的鸥翼形引线和焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

  HSSR-7111#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7111#300是高可靠性等级H HSSR-7111,带有可表面安装的鸥翼形引线形式和焊料浸渍引线表面。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

  ACPL-33JT-000E 汽车R²Coupler®智能门驱动光电耦合器

  ACPL-33JT是一款2.5A汽车R 2 耦合器®智能门驱动光电耦合器件,具有集成的反激控制器用于隔离式DC-DC转换器,具有故障反馈的IGBT去饱和感应,具有软关断和故障反馈的欠压锁定(UVLO)以及有源米勒电流钳位。快速传播延迟和严格的时序偏移性能可实现出色的时序控制和效率。这款全功能设备采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间,适用于电动汽车(EV)和混合动力车辆中的牵引动力总成逆变器,电源转换器,电池充电器,空调和油泵电机驱动器电动汽车(HEV)应用。 R 2 耦合器隔离产品提供关键汽车和高温工业应用所需的增强绝缘和可靠性。 功能 符合AEC-Q100 1级测试指南 工作温度范围:-40°C至+ 125°C 用于隔离式DC-DC转换器的集成反激式控制器 稳压输出电压:16V 峰值输出电流:2.5A (最大) 米勒钳位漏电流:2A 输入电源范围:4.5V至5.5V 传播延迟:300ns(最大) 死区时间失线ns 共模抑制(CMR):

  50 kV /μs;在 CM = 1500 V 集成的故障安全IGBT保护: 去饱和感应,“软” IGBT关断和故障反馈 带反馈的欠压锁定(UVLO)保护 ...

  HSSR-7111#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7111#100是高可靠性等级H HSSR-7111,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

  HSSR-7110#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7110#200是商品级HSSR-7110,带有焊料浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

  HSSR-7111#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7111#200是高可靠性等级H HSSR-7111,带有焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

  HSSR-7111#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

  HSSR-7111#600是高可靠性等级H HSSR-7111,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。 HDSP-0983显示器采用环氧玻璃 - 陶瓷密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 在整个温度范围内保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容用于发光的分类强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0783显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0883显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  信息通用光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机

  55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

  信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)

  55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

  信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许应用集小 无卤素合规。

  50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单

  信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准

【责任编辑:admin】(Top) 返回页面顶端

Copyright 2018 在线现金博彩娱乐 | 网站地图